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光刻

MEMS加工-光刻

光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。是對半導體晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)進行開孔,以便進行雜質的定域擴散的一種加工技術。
  • 產品介紹
  • 案例展示
應用材料:
● 硅片,玻璃,藍寶石,柔性材料等
接觸式光刻:
● 最小圖形尺寸:1μm,套刻精度:±0.5μm
步進式光刻:
● 投影比例1:5,最小圖形尺寸:0.35μm ,套刻精度≤0.15μm(X,Y),曝光范圍<22*22mm
電子束光刻:
● 最小圖形尺寸:10nm,套刻精度:40nm,曝光范圍 < 直徑100mm
雙面對準光刻:
● 最小圖形尺寸:1μm,正面套刻精度:±1μm,背面套刻精度:±2μm
EBL(電子束光刻)
接觸式光刻

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