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外延與摻雜

MEMS加工 - 外延與摻雜

外延一般是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層。新淀積的這層稱為外延層。外延為器件設計者在優化器件性能方面提供了很大的靈活性,例如可以控制外延層摻雜厚度、濃度、輪廊,而這些因素是與硅片襯底無關的。這種控制可以通過外延生長過程中的摻雜來實現。
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  • 案例展示
外延與摻雜技術:
● 金屬有機物化學氣相沉積:GaN,GaAs
● 化學氣相沉積:SIC
● 離子注入:B,P,F,Al,N,Ar,H,He,Si
高溫氧化
高溫擴散/退火
快速退火
 
壓力傳感器壓阻條
壓力傳感器壓阻條

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